内存储器中储存的是什么

内部存储器中存储了什么？ 2024年4月2日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请的项目名称为“动态随机存储器测试方法及装置”，公开号CN117809727A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种动态随机存取存储器测试方法及装置，涉及存储器技术领域。动态随机存取存储器包括衬底并且将在稍后讨论。

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2024年4月2日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司申请了公开号为CN117811591A的名为《解码器、解码方法及内存控制器》的专利。申请日期为2023年8月。专利摘要展示了一种解码器、解码方法和存储器控制器，涉及：接收码字；估计接收到的码字中包含的错误数量；还有什么？

存储器(102、202)包括至少一个缓冲存储器(104、204)、至少一个第一级存储器(106、206)和至少一个第二级存储器(108、208)。第一级存储器(106、206)具有比第二级存储器(108、208)更快的存取速度。存储器(102、202)被布置为将数据存储在存储器块(11等)中。

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2024年4月1日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告，编号为CN113644063B，名称为《半导体结构与形成方法、存储器与形成》方法”，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法。稍后将介绍半导体。

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2024年4月1日金融行业消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113644065B，名称为《半导体结构与形成方法、存储器与形成》方法”，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法，如上所述。就是这样。

2024年4月1日金融行业消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司获得授权公告号CN113948141B，名称为“反熔丝存储单元状态检测电路及存储器” ，申请日期为2020年7月。专利摘要显示，本发明提供了一种反熔丝存储单元状态检测电路以及使用该电路的存储器，包括：第一开关元件，稍后将对其进行介绍。

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2024年4月2日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司申请了题为《存储设备、存储系统以及操作存储系统的方法》的项目出版物专利号CN117806536A，申请日2023年5月。专利摘要显示，在一些实施例中，存储系统包括存储设备和被配置为向存储设备发送命令的主机，如下所述。

本发明实施例提供一种处理器、存储器、数据读取方法及电子设备，应用于处理器数据读取技术领域。电子设备包括处理器和存储器。本申请实施例中，处理器根据第一预取指令从内存中预读取数据块，并将预读取的数据块存储到缓存单元中。在第一个预取指令中设置粒度，然后让我继续。

据金融行业2024年4月2日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司申请了公开号CN117809718A，名称为“存储装置、具有存储装置的存储系统及操作方法”其中”，申请日期为2023 年9 月。该专利摘要示出了一种存储器件，包括被配置为存储行地址的第一寄存器，以及被配置为存储行地址的第一寄存器。

据金融行业2024年4月1日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司获得授权公告号CN107994018B，名称为《半导体存储器件结构及制造方法》，申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体存储器件结构及其制造方法。该存储器件结构包括半导体衬底和字线。