内存储器有哪些_内存储器有哪些

2024年3月13日金融行业消息，据国家知识产权局公告，台积电已获得授权公告号CN111987118B，标题为“半导体结构及形成存储器结构的方法”，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，本发明涉及一种在金属化层之间或金属化层内形成具有低轮廓的电阻式随机存取存储器的方法。

内存有哪些类型？据财经界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，台积电已获得授权，名称为“存储器件及其制造方法”，编号CN113540099B，申请日期2021 年6 月。专利摘要显示，该存储器件包括：嵌入位于衬底顶表面的介电材料层中的金属互连结构；以及嵌入一只小毛猫的薄膜晶体管。

内部存储器中存储了什么？据金融行业3月13日消息，有投资者在互动平台询问晶智达：您好，公司的存储芯片设备适合HBM内存生产吗？该公司回复：HBM业务对晶圆测试要求较高。公司正在积极布局半导体存储器件测试领域相关设备和探针卡的技术开发，为客户提供完整的测试解决方案。因为HBM业务还没有完成。

存储器简称2024年3月13日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN111326520B，名称为“三维半导体存储器件”，申请日期为2019年12月。专利摘要显示，一种三维半导体存储器件，包括：多个垂直堆叠在外围逻辑结构上的第一绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层交替，等等。

据内存品牌财经行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司获得一项名为“非易失性存储器件”的专利，并已授权公告申请号CN111276488B，申请日期为2019年11月。专利摘要显示，一种非易失性存储装置，包括：基板，其包括单元区域和外围电路区域；以及单位面积上的堆叠结构。堆叠结构还包括什么？

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内存的作用是什么？ 2024年3月13日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司获得授权公告号CN110277403B，名称为《三维半导体存储器件的制造方法》。申请日期为2019年3月。该专利摘要显示，提供了一种制造三维半导体存储器件的方法。一种方法可以包括在衬底上形成模结构，膜结构包括沟槽等。我继续。

内存排名据金融行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司获得了授权公告号CN111755452B，名称为“包括并行结构的半导体存储器件”。申请日期是2020年1月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括：衬底；第一字线位于衬底上方，第一字线沿第一方向延伸；基板上方还有什么？

内存部分是什么？ 2024年3月11日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，OPPO广东移动通信有限公司申请公开，名称为“帧内预测方法、编码器、解码器及存储专利号：CN117676133A，申请日为2021年2月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种帧内预测方法、编码器、解码器以及对小发猫进行解码的存储介质。

内存也被称为涉及汽车控制器的技术领域。选择需要刷写的控制器类型，确定需要刷写的控制器中所需数据的存储次数，并根据确定的存储次数设计闪存分配数量；根据存储次数和Flash数量，写入分配数量，构建Flash映射文件，并对Flash进行分区用于数据存储。 flash映射文件根据当前划分的扇区数完成虚拟地址和物理地址的映射；当它完成时。

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2024年3月13日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，深圳市英威腾电气有限公司申请了名为“正交脉冲输出方法、装置、变频器和计算机存储介质”，公开号CN117691978A，申请日为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种正交脉冲输出方法、装置、变频器和计算机等，我将继续。