思字的结构_思字的结构是什么

巳字的结构是怎样的？本发明提供一种使用掩埋位线的晶体管结构及其制造方法。晶体管结构包括衬底、隔离结构、漏极沉槽、第一字线沟槽以及第三字线沟槽。两个字线沟槽、掩埋字线、位线沟槽和掩埋位线。本发明的制造方法通过形成漏极沉槽来改变晶体管的结构，使得晶体管具有埋入式位线，且晶体管具有中等形状。我将继续谈论它。

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“思”字的结构及部首据金融行业2024年4月1日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN107994018B，名称为“思”字。 “半导体存储器件结构和制造方法”。申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体存储器件结构及其制造方法。该存储器件结构包括半导体衬底和字线。

“巳”字的结构和部首是什么？本发明提供一种晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法。晶体管制备包括：提供具有有源区的半导体衬底，在有源区中形成沟槽结构；在沟槽结构的底部和侧壁形成介质层；字线表面层形成于介电层的底部及部分侧壁处，且字线实体层包括与字线表面层的表面结合的填充部分以及位于填充部分顶部的凸起部分，线小毛猫。

思字的结构据金融行业2024年3月20日消息，根据国家知识产权局公告，金卡智能集团有限公司已获得授权公告号为“一种思字结构”一种基于电容判断字符轮位置的计数方法CN109540178B，申请日为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及测量计数技术领域，具体涉及一种确定字符轮位置的计数方法。基于电容的字符轮。我会继续。

思这个词是什么意思？财经界2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为“集成电路器件及制造方法”。申请日期为2019年6月。专利摘要显示一种集成电路装置，包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构与绝缘结构彼此缠绕。

“思”字的正确笔顺在第一沟槽中形成晶体管结构。晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层以及位于栅极层内的有源结构。形成沿第二方向延伸的字线，覆盖沿第二方向间隔的多个存储区中的栅极层。本发明简化了水平字线的形成工艺并降低了半导体成本，这将在后面介绍。

长鑫存储科技有限公司已获得授权公告号CN110299324B，名称为“半导体存储器的晶体管结构及制造方法”，申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出了一种半导体存储器的晶体管结构存储器及其制造方法。该方法包括：在基板上形成有源区以及与其交叉的字线；在两条字线之间形成接触；并在两条字线之间形成接触。有没有？

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“si”一词的含义是第一导电层与栅介质层的侧面接触，第二导电层位于相邻的有源柱之间，第一导电层位于栅介质层上。第二导电层，第二导电层设置在第一导电层的侧面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文来自财经还有什么？

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思子篆书提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括沿第一方向延伸的部分位线和沿第二方向延伸的位线。部分字线；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构完成。

2023年12月12日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113745193B，名称为“字线提取结构及制备方法”。日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法。在基板上形成沿X轴方向延伸的字线；字线沿Y轴方向形成等。

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